收藏本站
Package Information
Vishay Siliconix
POLARPAK? OPTION L
M4
M4
Prod u ct datasheet/information page contain
10
D
9
G
8
S
7
S
6
D
links to applica b le package dra w ing.
V ie w A
M3
M2
M1
M3
D
1
G
2
S
3
S
4
D
5
A
c
(Top V ie w )
H1
b 1 H4
6
D
7
S
b 3
8
S
H3 b 2 H2
9
G
b 1 H1
10
D
θ
Z
D1
D
θ
P1
P1
b 4
b 4
A
D
S
S
G
D
DETAIL Z
0.26
b 5
5
b 5
4
3
b 5
2
1
V ie w A
(Bottom V ie w )
A
0.20
0.33
0.5 8
Document Number: 72945
Revision: 11-Aug-08
www.vishay.com
1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIHB30N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
SIHF15N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP
SIHF18N50D-E3 MOSFET N-CH 500V 18A TO-220FP
SIHF6N40D-E3 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
SIHG20N50C-E3 MOSFET N-CH 500V 20A TO247
SIHG24N65E-E3 MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
SIHP12N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
SIHP30N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
相关代理商/技术参数
SIE848DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 211A 125W 1.6mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE850DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE850DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE854DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE854DF-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIE860DF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIE860DF_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SIE860DF-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 178A 104W 2.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube